IC的生產(chǎn)，包括IC封裝，大多數(shù)工序都需要超純水進行清洗，晶圓及工件與水直接接觸，在封裝過程中的減薄工序和劃片工序，更是離不開超純水，一方面晶圓在減薄和劃片過程中的硅粉雜質(zhì)得到洗凈，而另一方面純水中的微量雜質(zhì)又可能使芯粒再污染，這毫無疑問將對封裝后的IC質(zhì)量有著極大的影響。
隨著IC集成度的進一步提高，對水中污染物的要求也將更加嚴格。據(jù)美國提出的水質(zhì)指標說明，集成度每提高一代，雜質(zhì)都要減少1/2～1/10。
隨著半導體IC設計規(guī)則從1.5～0.25μm的變化，相應地超純水的水質(zhì)除電阻率已接近理論極限值外，其TOC（總有機碳）、DO（溶解氧）、Si02、微粒和離子性雜質(zhì)均減少2～4個數(shù)量級。
在當前的水處理中，各項雜質(zhì)處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率，其中電阻率達到18MΩ.cm（25℃）是當前比較容易達到的。由于TOC含量高會使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大，所以柵愈薄要求TOC愈低，況且現(xiàn)在IC技術的發(fā)展趨勢中，芯片上柵膜越來越薄，故降低TOC是當前和今后的最大難點，因而已成為當今超純水水質(zhì)的象征和重心。
半導體IC封裝超純水可選工藝流程：
工藝流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+2SMB
設備優(yōu)點
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎上進行不同組合搭配衍生而來?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊：
設備優(yōu)點
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第一種 采用離子交換樹脂
其優(yōu)點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經(jīng)常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預處理再配上離子交換
其特點為初次投資比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還有一定破壞性。
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第三種 采用反滲透作預處理
再配上電去離子(EDI)裝置這是目前制取超純水最經(jīng)濟，最環(huán)保的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。
技術要求
半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時，半導體行業(yè)對溶解氧、固體顆粒、二氧化硅、TOC的要求較高，達到PPB或者PPT級。
水質(zhì)標準
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學和半導體工業(yè)用超純水標準》
2、歐盟電子級超純水標準
3、中國電子工業(yè)國家標準GB/T11446.1-1997
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